شبیه سازی نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی جریان نشتی و مقاومت سورس درین

پایان نامه
چکیده

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به کوچک سازی ترانزیستور رو به افزایش است. از جمله روشهای برطرف کردن این مانع، استفاده از ساختار سیلیکون روی الماس می باشد. الماس عایق الکتریکی بوده و حرارت را چندین صد برابر بیشتر از دی اکسید سیلیکون به زیرلایه و محیط خارج ارسال می کند، اما به علت ضریب دی الکتریک بیشتر الماس در مقایسه با دی اکسید سیلیکون، میدانهای الکتریکی نفوذی از طرف درین به بدنه ترانزیستور بیشتر بوده و پارامتر اثرکاهش سد پتانسیل ناشی از درین تحت تاثیر قرار می گیرد. ساختار نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه برای بهبود اثرات کانال کوتاه ارائه گردید. در این ساختار با قرار دادن لایه دوم عایق، تاثیر میدان الکتریکی نفوذی درین کاهش پیدا کرد و به نوبه خود باعث اثرکاهش سد پتانسیل ناشی از درین کاهش می-یابد. در این تحقیق، با ارائه روشی می خواهیم مقاومت سورس درین تا حد امکان کوچک نگه داشته شود و در عین حال اثرکاهش سد پتانسیل ناشی از درین بهبود یابد. تنها در این صورت است که ترانزیستور نهایی دارای اثرات الکتریکی بهتر از ترانزیستور ابتدایی می گردد. برای شبیه سازی ترانزیستور از مدل غیر همدمای هایدرودینامیک استفاده می نماییم و طول کانال ترانزیستور مورد بحث را 22 نانومتر انتخاب می کنیم. اثر افزایش طول و عایق رویین بر روی اثرات الکترواستاتیکی ترانزیستور را مورد بحث قرار می دهیم و با ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس مقایسه می کنیم. مدل فیزیکی برای شبیه سازی افزاره ها، مدل هایدرودینامیک بوده که در آن علاوه بر معادلات دریفت- دیفیوژن و انتقال حرارت، معادلات مربوط به درجه حرارت حامل ها نیز حل می گردد. این مدل خاص شبیه سازی افزاره ها در ابعاد نانو می باشد. نتایج حاصل از شبیه سازی افزاره سیلیکون روی عایق دولایه نشانگر بهبود در کاهش سد پتانسیل نسبت به افزاره سیلیکون روی الماس و پدیده خود گرمایی نسبت به افزاره سیلیکون روی عایق است. شبیه ساز مورد استفاده در این پایان نامه نرم افزار ise-tcad است که با قابلیت های ویژه در طراحی و تحلیل نیمه هادی ها توانسته است هزینه های تحقیق و مطالعه را کاهش دهد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با سورس و درین مهندسی شده

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان گرافنی با نواحی سورس و درین مهندسی شده

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

15 صفحه اول

مدل سازی و شبیه سازی نشتی جریان در خطوط لوله انتقال نفت در حالت ناپایدار

در صنعت نفت، نشتی که در خطوط لوله انتقال سیالات دیده می شود، در حالت پایدار با ارایه فرضیاتی به راحتی شبیه سازی می گردد. در حالت پایدار هر نوع افت فشاری در خط لوله می تواند دلیل بر وجود نشتی باشد. از آنجا که عملیات داخل خط لوله، معمولا" در حالت ناپایدار می باشد، در این تحقیق نیز جریان در خط لوله ناپایدار فرض شده که جریان پایدار حالت خاصی از آن می باشد. برای حل معادلات حاکم با روش مشخصه ها ابتدا...

متن کامل

شبیه سازی و بهینه سازی مدار آسیاکنی شرکت روی تیران

امروزه شبیه سازی، ابزار بسیار مناسبی جهت بررسی فرآیندهای یک کارخانه است. در این پژوهش مدار آسیاکنی شرکت روی تیران به کمک نرم افزار ‌BMCS شبیه سازی شد. مدار آسیاکنی این شرکت دارای دو آسیای گلوله ای است که آسیای گلوله ای اول در مدار باز و دیگری در مدار بسته با هیدروسیکلون است. سرریز هیدروسیکلون به عنوان محصول مدار آسیاکنی شناخته می شود. پس از بررسی اولیه ی مدار این شرکت مشخص شد که بالا بودن انداز...

متن کامل

شبیه سازی عددی جریان دو لایه ای خون پایا در رگ صلب

عمده موارد مربوط به مرگ و میر در ایران، مربوط به بیماری­های قلبی و عروقی است که از بین آنها مرگ مربوط به انسداد رگ­های خون رسان به قلب یعنی عروق کرونر شایعتر است. رسوب تدریجی کلسترول و سایر چربیها و مواد در دیواره داخلی شریان­های بدن، باعث ایجاد پلاک­هایی در جدار این عروق می­شود که منجر به تنگ، سفت و سخت شدن دیواره رگها خواهد شد. در این تحقیق سعی شده است به مدلسازی جریان خون در رگ­های گرفته شده...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023